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全球UV LED专利地图 谁将主导行业新蓝海

2016-01-05 14:40
瑾年Invader
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  近几年,随着可见光领域的日趋成熟,研究人员把研究重点逐渐向短波长的紫外光转移,紫外光在丝网印刷、聚合物固化、环境保护、白光照明以及军事探测等领域都有重大应用价值。而紫外LED的功耗低、发光响应快、可靠性高、辐射效率高、寿命长、对环境无污染、结构紧凑等诸多优点,使其最有希望取代现有的紫外高压水银灯,成为下一代的紫外光光源。因此,它也成为了近年世界各巨头和研究机构新的研究热点之一。那么目前全球紫外LED核心专利分布情况如何?主要握在谁的手中?

  专利量:中国最多约占56%

  根据LED产业专利联盟发布的《紫外LED专利技术分析报告——外延芯片、封装器件篇》显示,从专利区域构成上来看,近200 份有关紫外LED 外延、芯片和器件封装领域的相关专利中,专利数量最多的是中国地区,约占总数的56%;其次是美国地区,台湾和日本,韩国在这一领域也具有相当的优势。而且这些专利中,世界专利的申请占到了约10%,说明对这些专利,申请人都比较重视,相当比例的申请进行了全球专利布局。

  

  图1专利区域构成分析

  从申请趋势上看,该报告显示,从1998 年开始,紫外LED的申请量逐年增加,目前处于高速发展阶段。这与这一领域的技术发展趋势是一致的。1998 年,一种InGaN/A1InGaN MQW 结构的紫外LED 芯片在美国Sandia 国家实验室由Mary H. Crawford 课题组研制出来。该芯片辐射峰值波长为386 nm,辐射功率大于1 mW,开启了新一代短波长紫外光领域的大门。此后众多研究者致力于此,在外延层质量、p 型掺杂、欧姆接触、光学设计等关键工艺水平方面都取得了很大的提高。2014 和2015 年申请量下降的原因,应该是由于很多申请还是处于未公开阶段。

  

  图2专利申请总体趋势

  申请量:中科院半导体研究所取胜

  对申请人进行分析发现,申请量最多的是中国中科院的半导体研究所,而且居于前几位的都是来自中国的申请人,国外申请量靠前的有首尔半导体、NITEK、CREE等,国内进入前列的申请人以科研机构和大学比较多,企业有青岛杰生和武汉光电技术研究院有限公司。

  说明中国在此领域也掌握了一定的核心技术,在某些领域可以和国外企业技术相当或者领先,但是中国企业在此领域的研发能力,技术实力还具有一定差距,有待提高,可以引导和鼓励产学研结合,促进中国科研院所和大学技术的向企业转移,促使企业在此领域的技术水平的提高。

  

  图3.主要申请人分析【备注:首尔半导体包括:Seoul Viosys CO.,LTD(首尔伟傲世有限公司);SEOUL OPTODEVICE CO. LTD(首尔OPTO仪器股份有限公司)】

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