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LED封装前沿技术、研发思路及制约发展的问题

2016-01-05 14:10
络遇
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  当有人说LED封装初中生都会做,日亚化学笑了。说这种话的那些人和那些媒体记者普遍是大学学历,然而给他们原材料和仪器设备独立做一个LED封装产品,他们肯定做不出来。内行看门道,外行看热闹。这个世界上总有一种人,看到“一二三”就会说写字不过如此简单。

  LED封装全球领导者日亚化学十几年来孜孜不倦对LED封装技术进行研究,把别人没有的做到创造,把别人已有的做到创新,把大家熟知的做到极致。

  针对市场需求,日亚化学在2015年3月研发出覆晶(Flip-Chip)LED新技术——“直接安装晶片”(DirectMountableChip),尺寸是1010规格,就是1mmx1mm,已经在2015年10月开始量产,未来将陆续导入照明及液晶应用,预估2016年量产规模将达2015年的3倍。日亚化学特别提到,DMC(Flipchip)的产品,目前的成本还是相对较高,但未来在新的设备投资下,预期成本可以进一步降低。

  以下对功率型GaN基LED光电器件覆晶倒装焊产业技术进行研究,介绍LED光电的发展历程、产品应用、研究方法、技术路线以及解决的关键问题。

  国内外技术发展及现状

  GaN基发光二极管(LED)作为新一代的环保型固态光源,已经成为产业界的关注焦点。1992年,有“蓝光之父”之称的中村修二成功地制备出了Mg掺杂的p型GaN,随后在1993及1995年采用InGaN/GaN异质结结构成功制备了高亮度的蓝光LED,并因此而斩获了2014年度的诺贝尔物理学奖。

  目前,大功率、高亮度的白光LED已经成为了照明领域的发展热点。白光LED发光效率虽然已经达到了170lm/W,但离其理论值250lm/W尚有一定的差距,因此进一步提高其发光效率成为功率型白光LED的一个关键技术问题。一般来说,提高LED的发光效率有两种途径,分别是提高其内量子效率及光提取效率。另一方面,如何提高散热能力成为了功率型LED器件发展的另一个关键。

  随着LED功率的增大,特别是固态照明技术发展的需求,对LED封装的光学、热学、电学和机械结构等提出了新的、更高的要求。由此可见,研究高取光效率、低热阻、高可靠性的封装技术是大功率LED走向实用及产业化的必经之路。

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