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UV LED产业发展格局及未来技术发展研究分析

2016-02-22 08:33
退思
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  一般情况下,LED芯片封装时都用环氧树脂进行灌胶填充,但是环氧树脂在紫外光中出现性能恶化,因为树脂中的苯环双重结构容易被紫外光所破坏,加速了树脂的氧化过程。同时目前还没有找到400nm附近很好的光激发荧光材料。所以,当前400nm紫外LED用于白色LED所面临的课题是:如何开发由400nm附近的光激励的荧光材料以及不会因这种光而出现性能恶化的封装材料。

  (2)提升发光效率

  紫外LED芯片还将面临的一个问题是,现在LED芯片几乎全部使用氧化铟锡做透明导电层,氧化铟锡材料对可见光的吸收确实很少,但是氧化铟锡对紫外光的吸收却明显变强,同时紫外芯片的正向电压相对蓝绿光芯片的正向电压偏高。

  晶元光电联合台湾仪科中心,以及中央大学薄膜技术中心,将先进材料石墨烯应用于紫外LED的制造技术,共同执行“开发电浆辅助高温原子层沉积系统应用于紫外LED”计划,以更适合LED使用的透明电极材料石墨烯取代氧化铟锡,希望能够克服紫外LED发光效率降低的问题。

  未来研究方向

  根据紫外LED芯片的研究现状,预计其未来研究发展方向有如下几个方面:研究高质量的深紫外材料外延生长技术;高Al组分AlGaN材料生长技术和掺杂技术;深紫外LED结构设计;波长300nm以下LED器件芯片制作工艺和封装技术;面向医疗、杀菌和净化应用领域的紫外光源模块开发和应用;近紫外LED激发荧光粉制备高性能白光LED。

  未来技术问题

  未来需解决的技术问题是蓝宝石衬底上高质量AlN模板的MOCVD外延生长;AlGaN量子阱的发光机制研究与结构控制技术;P型高Al组分AlGaN掺杂技术研究;低欧姆接触电极的制作;电流拥堵效应的解决;紫外LED出光效率提高技术;荧光材料的高效合成;耐热抗紫外封装材料的研究;深紫外LED的器件工艺和封装技术;深紫外LED的应用模块研制等。在国内外众多紫外LED研究工作者的共同努力下,相信紫外LED芯片的应用前景将一片光明。

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