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摩尔定律已死 倒装技术燃起海兹定律的曙光

2016-02-23 00:05
PokerJoker
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  2015年是LED产业很低潮的一年,尤其是中上游,经历了产能过剩,芯片与灯珠一个月一个价,跌跌不休让芯片与灯珠的议价几乎是一个很痛苦的过程,相信很多从事LED技术的人跟我一样有一种不如归去的感觉,所以我封笔一年进行无言的抗议!

  去年的秋天,当我在日本福冈参加2015年WUPP for wide bandgap Semiconductors论坛与2014年诺贝尔物理奖得主天野浩教授交流之后,我对这个行业又燃起了一线曙光,这也是我今天在封笔一年之后给大家的一个2016新年献礼。

  

  2015年8月的WUPP会议

  大学或研究所的时候,如果是电子或半导体科系的学生一定会修固体物理或半导体物理,我们知道IC有摩尔定律,但是由于课程的编排,在化合物半导体这部分比较少着墨,所以很少人知道在化合物半导体里面的光电领域有一个LED海兹定律。

  先看看IC的摩尔定律:

  集成电路芯片上所集成的电路的数目,每隔18个月就翻一倍,微处理器的性能每隔18个月提高一倍,或价格下降一半。

  如下图所示:这个定律在2010年20纳米制程之后就有一点欲振乏力了,摩尔定律遭遇了一个严酷的考验,科学家与半导体工程师都绞尽脑汁延长摩尔定律,在半导体技术上寻求突破?

  

  微观的摩尔定律

  

  巨观的摩尔定律

  

  效能与速度的摩尔定律

  关键时刻总是会有一个英雄来拯救,美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授胡正明教授就是半导体行业的救星,他发明了一种FinFET技术,可以将半导体制程线宽缩小到10纳米到12纳米的制程(栅极的线宽越窄,处理器的工作速率越快)。

  详细技术细节请看下图所示,当别人绞尽脑汁利用曝光技术缩小线宽极限的时候,他首先解决晶体做薄后漏电的问题,反其道而行的向上发展,晶片内构从水平变成垂直。

  这个技术不但延长了摩尔定律,也让我们人类在这个电子资讯时代生活更快捷更便利。

 

  FinFET技术示意图

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