金卤灯二级拓扑电子镇流器控制策略的研究
1 有源功率因数校正(APFC)电路
UCC28019是一款在连续工作模式下，采用平均电流控制策略，以固定频率输出PWM波控制开关管的通断，实现功率因数校正，该芯片具有软启动、欠/过压保护、过流保护、开路保护以及峰值电流限制等功能。
UCC28019通过调节BOOST电路的开关管的占空比来稳定输出电压，在电路输出端通过电阻分压得到电压反馈，将反馈电压送入芯片内部误差比较器和基准电压进行比较，芯片内部振荡器调节输出PWM的占空比实现输出稳压。
2 全桥DC/AC逆变电路
上电过程是在金卤灯点火击穿以前，灯负载相当于与开路，为了使得点火阶段能够正常，必须要有足够高的开路电压。这个电压通过启动电路供给灯足够高的电压脉冲，击穿灯管。
点火过程金卤灯需要3-5KV的电压，同时这个脉冲要保持几十微妙的时间，脉冲上升时间越短越好。在高压脉冲的激励下，经过一次或几次灯就会启动，进入下一阶段。
瞬间产生高压通常采取DC/AC逆变电路实现。常见的逆变电路分为半桥逆变和全桥逆变。全桥逆变电路是逆变器中得到最广泛应用的拓扑形式，其器件承受的电压较低，控制灵活，在自换流或者负载换流模式下都可以工作，不依赖变压器参与逆变，因此采用全桥逆变的控制策略。
为了节约成本，数控芯片我们采用AT89S52单片机，对于金卤灯电子镇流器来说，存在所谓的“声谐振”，当稳态时工作频率超过1kHz时，金卤灯的工作状态就会变得不稳定，这种不稳定表现为共鸣。为了避免生这种现象，我们在逆变过程中产生的PWM波不能超过1KHz，使用AT89S52单片机产生PWM波完全满足设计需求，但是单片机输出电压过低，逆变过程需要用驱动芯片来升高单片机产生的PWM波电压。
我们选用IR2110芯片，IR2110是利用独有的高压集成电路及无门锁CMOS技术，是目前使用较广的大功率MOSFET和IGBT专用栅极驱动集成电路芯片，已在电源变换、马达调速等功率驱动领域中获得了广泛的应用。
由单片机产生PWM波，输送给IR2110，经过升压后控制MOS关开关产生交变电流，逆变产生的交流电经过1：10的升压变压器变压后即可满足金卤灯的开启电压。
总结
上述仅是基于单片机设计的金卤灯电子镇流器二级电路拓扑的基本研究方法。本文采用二级拓扑电路代替传统的三级拓扑结构，采用PFC级和全桥DC/AC级电路，省去了DC/DC级电路，降低了金卤灯的生产成本，但能够正常实现小功率金卤灯的稳定启动，解决灯在被击穿后出现的负阻特性，有利于金卤灯在光源照明领域的广泛应用。
分享
图片新闻
发表评论
请输入评论内容...
请输入评论/评论长度6~500个字
暂无评论
暂无评论